水晶発振器のシミュレーションがうまく行かないので、基本に返ってデバイスの特性を測定してみた。
特に何の特徴もない一般的なNチャンネルのJFETの特性だ。
こっちも同じ。 Vgs=0Vで、Id=4mAぐらいか..。 シミュレーションした回路では少しマイナス側にバイアスをかけているので、ゲインを増やすためにVgs=0Vにしたほうがいいかも。
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